台积电否认「应英伟达要求研发 3D DRAM」：代工和内存是两门生意

作者：周砚

11 月 8 日，The Information 称台积电在英伟达提出要求后已开始为 3D DRAM 制造制定计划，台积电随后向 Tom's Hardware 否认，重申只做专业集成电路代工。传闻的燃料是 DRAM 缺货涨价，但代工与内存制造的工艺、良率、周期风险都不同，即便入局，五年内也缓解不了短缺。

11 月 8 日，The Information 援引两名了解该计划的人士报道，在最大客户英伟达提出要求后，台积电已开始为 3D DRAM 制造业务制定相关计划，这项工作由负责先进封装业务的副总裁徐国晋监督——他此前担任美光科技台湾地区业务负责人 。同一天，台积电一名发言人向 Tom's Hardware 否认了这一说法：「台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工」，使命是持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商 。

缺货是这条传闻的燃料

背景是内存不好买。AI 硬件需求激增，全球 DRAM 供应持续紧张、价格不断上涨，内存正从一种普通商品变成「战略性资源」，甚至可能决定一家企业能否按时向客户交货 。需要说明的是，本文没有拿到具体的合约价涨幅数据，目前能确认的只有「持续上涨」这个方向，具体百分比应以研究机构与原厂公开数字为准。

3D DRAM 是把存储单元从平面排列改成垂直堆叠多层，用同样的晶圆面积装下更多容量 。这项技术目前还在早期：美光、三星、SK 海力士三家都在推进各自项目，而美光的路线图显示，在真正实现 3D DRAM 之前，公司至少还要推出四代平面 DRAM 制程 。换句话说，连专业内存厂都还在爬坡。

代工和内存，不是一桩生意

台积电的根基是逻辑制程和先进封装。它确实长期和内存厂合作，替客户把内存封装进系统级封装（SiP）产品，但这是「封装者」的角色，公司本身不具备 DRAM 制造所需的技术和产能，更谈不上 3D DRAM 。DRAM 的生产流程与逻辑芯片完全不同，3D 结构还要额外解决多层堆叠下的缺陷控制和良率问题 。

这也是「五年内缓解不了短缺」这个判断的由来：即使台积电今天决定入局，从零建立有竞争力的先进 DRAM 制程也要数年 。若走收购路线，买一家有自有晶圆厂的小型专业内存厂能省掉底层 IP 的开发，但这类厂通常不掌握最先进的主流制程，收购之后仍需投入数十亿美元和数年研发 。

成本不只在研发上

内存是周期性行业。缺货会刺激扩产，新增产能最终可能造成供过于求、价格和利润被压低，这种波动会让任何新进入者在决策前更谨慎 。

关系成本同样存在。2024 年 SK 海力士与台积电达成合作，由台积电为下一代高带宽内存（HBM）制造逻辑基底芯片；如果台积电转身做 DRAM 供应商，双方关系会变得更复杂 。此外，台积电在先进逻辑制造上已占主导、先进封装也领先，再往内存延伸形成垂直整合，可能引来监管机构对「是否偏袒自家内存产品」的审查 。

三方说法各自的分量

The Information 的信源是两名匿名人士，报道本身无法独立核实；英伟达方面从未确认自己提出过这一要求 。台积电的否认同样是一句低成本的表态，但它与公司长期坚持的代工定位、产能纪律一致 。在缺货周期里，客户更常见的做法是锁定供应链，而不是劝代工厂换赛道——这一句是笔者的推断，不是任何一方的说法。

还有一点容易被忽略：不造 DRAM，台积电一样能吃到内存需求增长的好处。为 HBM 制造复杂的逻辑基底芯片、用 SoIC 混合键合把内存与处理器集成、与创意电子（GUC）及成熟 DRAM 厂合作开发定制内存方案，都是投入更小、见效更快的路径 。

所以「不造内存」并不令人意外。真正值得跟的是缺货期内台积电在 HBM 逻辑基底和先进封装上的产能动作，以及 The Information 原始报道中「制定计划」的具体分寸——这一点目前仍待核实。

转载说明

本文根据以下公开资料整理，原文及配图出处见下方。

• [S1] 台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM：公司始终专注于集成电路代工这个核心业务
• 配图 1：来源：www.ithome.com（图片署名见原文） · 图片出处