长江存储传出第四座NAND工厂：300层以上、国产设备冲70%，但订单还没下

作者：陈一帆

路透社11月6日援引知情人士称，长江存储计划在武汉建第四座NAND工厂，生产堆叠层数超过300层的芯片，国产设备采购比例目标至少60%、力争70%，预计明年动工，目前尚未下达正式订单。第三座工厂预计今年晚些时候投产，国产设备占比约50%以上。

11月6日，路透社援引知情人士报道，长江存储计划在武汉建设第四座NAND工厂，用来生产该公司最先进的闪存芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过300层；新厂的国产设备采购比例定在至少60%，力争做到70%；工厂预计明年动工，但目前只和供应商做了初步讨论，尚未正式下达订单 。作为对照，长江存储第三座工厂预计今年晚些时候投产，中国供应商的设备约占采购总量50%以上 。

300层，等于同一块地皮上多盖一百层

3D NAND 的堆叠可以类比成一栋楼：晶圆是地皮，存储单元是一层层的房间。层数越多，同一片晶圆上能放下的数据位就越多，同样的产线、同样的工序时间，切出来的总容量更大，摊到每 GB 的成本才有下探空间。

这几年 NAND 的竞赛主线基本就是楼层数往上加（以下属于行业背景，不是本次报道内容）：从一百多层到两百多层，再到讨论 300 层以上。落到日常场景，直接关系到两件事——同样是 2TB、4TB 的固态硬盘，颗粒来源更宽、价格更有腾挪余地；手机里 1TB 的闪存，也更容易出现在中端机型上，而不是只挂在顶配。

但这里要分清楚：300 层以上是规划中的目标产品，不是已经跑在产线上的能力 。从动工、装机、试产到良率爬坡，每一段都要时间，中间任何一段不顺，节奏都会往后推。

设备侧：60%到70%，不是十个百分点的算术题

报道提到，新增的国产设备预计集中在晶圆清洗、抛光、刻蚀这些常规工艺环节；中国企业目前已经为长江存储供应大部分清洗和抛光设备，并在先进 NAND 所需的深层垂直结构设备上取得进展 。

这几道工序的含金量并不一样。清洗和抛光更接近"配套"，国产设备进去得早、份额也高；刻蚀才是盖这栋楼里最别扭的一步——要在三百多层材料里打出又深又直的孔，孔径上下不能变形，深度和垂直度差一点，整片就废。能在这个环节站住，性质上和供清洗机完全不同。

所以对北方华创、中微半导体这些厂商来说，如果60–70%的目标真落地，意义不只是订单变多，而是国产设备从"外围工序"往"核心难度工序"挪了一格 。不过措辞得看清楚：这是"至少60%、力争70%"的目标，不是已经签下的份额；报道明确说长江存储仅与供应商初步讨论、尚未下订单 。目标、意向、订单、验收，是四件不同的事。

这条消息现在该怎么读

它的来源是匿名知情人士，转述报道中没有出现长江存储的官方确认 。这条线接下来值得盯三个具体信号：正式订单什么时候下、第三座工厂投产后爬坡是否顺利、第四厂动工时点有没有如期兑现。

国产存储和设备这条线，过去几年最容易被两类叙事带偏：一类是听到规划就当量产，一类是看到差距就否定进展。比较稳的做法是把"规划"和"已经实现"分开记——300 层以上的芯片还没造出来，60–70%还没变成合同，但第三厂的50%是正在发生的事，而这个数字本身，几年前也只是一个目标。

转载说明

本文根据以下公开资料整理，原文及配图出处见下方。

• [S1] 消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂，国产设备占比力争达到 70%